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美国 KRI 射频离子源 RFICP 380
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伯东代理射频离子源 RFICP 380
因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准大口径射频离子源 RFICP 380上海伯东美国 KRi 大口径射频离子源 RFICP 380, 3层栅极设计, 栅极
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KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 镀制红外器件 ZnS 薄膜
某半导体厂商为了提高红外器件 ZnS 薄膜厚度均匀性, 采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅射沉积设备镀制红外器件 ZnS 薄膜, 并采用动态沉积的方法--样品台离心旋转
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KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 溅射制备微晶硅薄膜
伯东工程师推荐, 长沙某大学实验室课题租在研究微晶硅薄膜时, 采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅沉积制备微晶硅薄膜. KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:射频
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KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 用于铝表面溅射沉积 ZrN 薄膜
河北某大学研究室为了研究磁控溅射时间和氮气流量对 ZrN 薄膜色度的影响, 采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助在铝表面溅射沉积ZrN 薄膜 KRI 射频离子源 RFICP380
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KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅射 WS2 薄膜
, 且摩擦系数较低, 在高温高压、高真空、高辐射等严苛环境也能保持润滑, 不易失效, 在航空航天领域有着良好的发展前景. 河南某大学研究室采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助
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KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅射沉积 Cu-W 膜
为了得到最佳性能的磁控溅射 Cu-W 薄膜, 某大学新材料研究所采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅射技术在基片上沉积 Cu-W 膜. KRI 射频离子源 RFICP380
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伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 溅射制备 VO2 薄膜
VO2 薄膜作为一种热门的功能材料, 具有优秀的相变特性和电阻开关特性, 在微测辐射热计、光存储器等光学器件领域具有广泛的应用前景. 天津某材料制造商采用伯东 KRI 射频离子源 RFICP380
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KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 制备 IFBA 芯块 ZrB2 涂层
某科研机构在 IFBA 芯块 ZrB2 涂层研究中采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助镀膜设备溅射沉积 ZrB2 涂层. KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:射频
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KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 溅射沉积 NSN70 隔热膜
某机构采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅射在柔性基材表面沉积多层 NSN70 隔热膜, 制备出的 NSN70 隔热膜具有阳光控制功能, 很好的解决了普通窗帘或百叶窗
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